韩企开辟芯片第二战场，缺少EUV光刻机的国产厂商，迎来更大挑战

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       近两年，电子产品的快速普及，存储芯片的重要性更加凸显，同时，储存芯片的制程要求和需求量也在不断提升。

       目前，全球主要的储存芯片供应商集中在美日韩，其中三星、SK海力士以及美光占据了全球80%以上的存储芯片市场。

       随着智能产品对存储芯片的性能要求越来越高，各大存储芯片巨头都在寻求技术突破。

       10月12日，韩国三星电子将开始使用阿斯麦的EUV光刻机来生产存储芯片领域最小的14纳米DRAM芯片，这意味着，三星开辟出储存芯片的第二战场，

       对于三星而言，在存储芯片领域引入EUV光刻技术将会有更大的成本投入。不过，需要明白的是，未来存储芯片市场拥有巨大的潜力，而三星引入先进极紫外光刻技术无非就是想要生产更为先进的产品，来吸引客户，所以，在庞大的市场规模面前，使用EUV光刻机的成本却显得微不足道。

       虽然我国在存储芯片市场并未太大的话语权，但国内相关企业也在不断加快相关技术突破。近期，有业内人士透露，由长江存储生产的64层闪存芯片已经实现3亿颗的出货量，同时，长江存储自主研发的128层QLC芯片也正式进入量产阶段，并且，芯片的良品率已经达到了国际水平。

       不过，随着三星将EUV光刻技术引入存储芯片领域，对于国内的存储芯片厂商而言，将迎来巨大的挑战。

       从上述来看，长江存储勉强能跟上三星的步伐，现如今，三星使用极紫外光刻技术生产存储芯片，将进一步拉开距离。

       要知道，EUV光刻机只有荷兰的阿斯麦能够供应，由于相关条件的限制，我国很难从阿斯麦手中购买到EUV光刻机，这无疑加大了国产存储芯片厂商追赶三星的难度。

       值得一提的是，不只是三星，国际存储芯片巨头SK海力士、美光未来都将在存储芯片方面引入EUV技术。

       缺少EUV光刻机的国产厂商，在DRAM技术迭代方面也将迎来挑战，目前，国内存储芯片厂商均处在DDR4级别，而DDR5则是下一代DRAM标准，相较之下，DDR5的储存芯片拥有速度快、密度高以及功耗低的特点。

       按照三星电子的说法，利用最新的DDR5标准，三星最新研发的14纳米DRAM将达到7.2Gbps的数据读取速度，这个数据已经是DDR4的两倍之多。

       此外，SK海力士将计划今年量产DDR5，而美光的DDR5也已经开始出样。显然，没有EUV光刻机的支持，国产存储芯片的实力很难实现对三星、美光等巨头的超越。

       毫无疑问，随着存储芯片技术的迭代完成，行业内龙头企业的激战将全面升级，对于技术相对比较落后的国产存储芯片只能避其锋芒。
不过，国产存储芯片也不是没有突破口，就是增强对本土厂商的供应，以长江存储为例，其研发的64层闪存已经成功打入华为Mate40系列供应链。

       随着长江存储在存储芯片技术方面持续突破，未来，其推出的产品或许会得到更多中国企业认可。

       展望未来，中国企业在存储芯片领域的发展有目共睹，已经实现从0到5%的突破，因为，在《日经亚洲评论》报道中，中国存储器的产量在全球的占比已经提升到了5%。以这样的速度发展下去，中国的存储芯片一定会在全球市场大放异彩，实现存储芯片的全面自主。      文/球子 审核/子扬 校正/知秋